特許

J-GLOBAL ID：200903025576837826

半導体不良解析ツール、システム、不要解析方法および半導体装置の製造方法

発明者： 小宮 泰麿 ,  菊地 修司 ,  村岡 諭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-079931
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282665
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体装置の不良解析の箇所および原因を短時間で正確に把握することを目的とする。【解決手段】少なくとも1つ以上の配線設計レイヤと、半導体不良検査装置または不良解析装置の出力をデータ形式情報として取り込み、表示するユーザレイヤとを有する不良解析ツールまたはそれらを用いた手法である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つ以上の配線設計レイヤと、半導体不良検査装置の出力をデータ形式情報として取り込み、表示するユーザレイヤを有することを特徴とする不良解析ツール。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/82 ,  G01R 31/28

FI (3件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/82 T ,  G01R 31/28 F

Fターム (20件)：

2G132AA00 ,  2G132AB02 ,  2G132AC10 ,  2G132AE11 ,  2G132AE14 ,  2G132AE16 ,  2G132AE18 ,  2G132AH07 ,  2G132AL09 ,  4M106AA01 ,  4M106DA20 ,  5F064AA04 ,  5F064EE23 ,  5F064FF12 ,  5F064FF48 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10 ,  5F064HH11 ,  5F064HH13 ,  5F064HH14