特許

J-GLOBAL ID：200903025577695669

半導体装置、およびその製造方法

発明者： 今井 聖支 ,  杉山 直治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072682
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274337
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜上に形成された半導体層の品質が良好な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板11上に酸化シリコン膜12・窒化シリコン膜13が順に積層され、窒化シリコン膜13上にチャネル領域14・ソース領域17・ドレイン領域18が形成された多結晶シリコン層が堆積されている。窒化シリコン膜13中の酸素濃度が1019cm-3以下で、窒化シリコン膜13と多結晶シリコン層との界面の酸素面濃度は1013cm-2以下である。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成され膜中酸素濃度が1019cm-3以下である、窒化シリコンを主成分とする第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜に接して形成され前記第1の絶縁膜との界面における酸素面濃度が1013cm-2以下である、シリコンを主成分とする半導体層とを備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/12 E ,  H01L 29/72