特許

J-GLOBAL ID：200903025580647772

圧電体薄膜素子

発明者： 山田 由佳 ,  吉田 岳人 ,  鈴木 信靖 ,  牧野 俊晴
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092122
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289162
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 圧電体薄膜素子において、圧電体薄膜と下部電極との良好な構造安定性・化学的安定性を得て、これにより圧電体薄膜の品質を向上させ、素子として高い信頼性を得ること。【解決手段】 基板11と、下部電極15と、AlN薄膜18と、上部電極19とからなる圧電体薄膜素子において、下部電極15が高融点金属窒化物から構成される。好ましくは、下部電極を構成する高融点金属窒化物の生成エンタルピーが、圧電体薄膜の生成エンタルピーと同じ又は高い構成とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された高融点金属窒化物を含む下部電極と、前記下部電極上に形成された圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜上に形成され上部電極を有する圧電体薄膜素子。

IPC (4件)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H03H 9/17

FI (4件)：

H03H 9/17 F ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z

Fターム (12件)：

5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF05 ,  5J108FF11 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02