特許
J-GLOBAL ID:200903025584610318

貴金属めっきの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-184387
公開番号(公開出願番号):特開平7-011478
出願日: 1993年06月29日
公開日(公表日): 1995年01月13日
要約:
【要約】【目的】密着性、耐食性に優れた貴金属めっきを提供すること。【構成】基材上に、電気ニッケルめっきを施す工程と、その上層部にリン供給源として亜リン酸または亜リン酸塩を用いるニッケル-リン合金めっき液中で、初期電流密度として8〜20A/dm2の高電流密度で処理し、続けて7A/dm2以下の電流密度で処理する工程と、その上層部に貴金属めっき層を形成する工程を有する貴金属めっきの製造方法。【効果】本発明は、中間層に亜リン酸又は亜リン酸塩をリン供給源としたニッケル-リン合金めっき液を用いて、初期電流密度として8〜20A/dm2の高電流密度で処理することによりニッケル表面がカソーディックとなり、且つ、多量の還元性水素を発生するために活性化し、電気ニッケルめっき層との密着性を向上し、続けて7A/dm2以下の電流密度で処理することによりリン含有量を上げ、基材及び電気ニッケルめっき層の腐食を防止する。これらの作用により高耐食性であり、密着性に優れた貴金属めっきが得られるものである。
請求項(抜粋):
基材上に、電気ニッケルめっきを施す工程と、その上層部にリン供給源として亜リン酸または亜リン酸塩を用いるニッケル-リン合金めっき液中で、初期電流密度として8〜20A/dm2の高電流密度で処理し、続けて7A/dm2以下の電流密度で処理する工程と、その上層部に貴金属めっき層を形成する工程を有する貴金属めっきの製造方法。
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭62-124290
  • 特開昭60-033382
  • 特開平2-047287
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