特許
J-GLOBAL ID：200903025584867173
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134510
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304215
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 多層配線のスルーホールにおいて、配線金属層とSOGとが直接接触することが原因とされる配線金属層での空洞の発生を防止する。【構成】 上側配線金属層8と下側配線層2とを電気接続するためにスルーホール6を開設した層間絶縁膜の一部をSOG膜4で形成している場合に、このSOG膜4を通して開設されたスルーホール6の内側面にサイドウォール7を設け、配線金属層8とSOG膜4とが直接接触することが回避され、配線金属層における空洞の発生を防止する。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜に設けたスルーホールを通して上側配線金属層と下側配線層とを電気接続する多層配線を備えた半導体装置において、前記層間絶縁膜の一部をSOG膜で形成し、かつこのSOG膜を通して開設されている前記スルーホールの内側面にサイドウォールを設けたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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