フオトレジスト組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215587
公開番号（公開出願番号）：特開平5-034916
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】高解像度で、現像後のパターンプロファイルに優れ且つ、耐熱性に優れた半導体製造用フォトレジストを得る。【構成】感光性化合物として、特定の多価フェノールとアルデヒド又はケトンから誘導される、重量平均分子量600〜2200のノボラック樹脂に、キノンジアジドスルホン酸がエステル化率40〜70%で結合したものを使用する。【効果】特に、波長330〜450nmの光を照射する半導体製造用フォトレジストとして適する。

請求項（抜粋）：

?@アルカリ可溶性樹脂、?Aキノンジアジド系感光性化合物及び、?B溶剤を含有するフォトレジスト組成物において、キノンジアジド系感光性化合物が、(a) 下記一般式〔A〕で示される少なくとも1種のフェノール化合物と下記一般式〔B〕で示される少なくとも1種のケトン又はアルデヒド誘導体との縮合物よりなるノボラック樹脂のキノンジアジドスルホン酸エステル化物を主体とするものであり、(b) 該ノボラック樹脂の重量平均分子量(ゲルパーミェーションクロマトグラフィー法によるポリスチレン換算の分析値)が、600〜2200であり、しかも、(c) キノンジアジドスルホン酸エステル化物のエステル化率〔(キノンジアジドスルホン酸エステル化物1分子当りのキノンジアジドスルホニル基数)×100/(ノボラック樹脂1分子当りの水酸基数)〕が、40〜70%であることを特徴とする半導体製造用フォトレジスト組成物。【化1】【化2】(式中、R1 はアルキル基を表わし、R2 及びR3 は夫々独立に水素原子、アルキル基又はアリール基を表わし、1は0〜2の整数を、mは2〜4の整数を表わすが、l+mの和は2〜4である。)

IPC (3件)：

G03F 7/022 , G03F 7/023 511 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-205933
特開昭60-143345
特開昭61-267043

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