磁気センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-337920
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】新規な構成にて、組付けズレ等によるセンサ出力のオフセットを調整することができる磁気センサを提供する。【解決手段】基板2の上に磁気抵抗素子3,4が配置されるとともに当該基板2の後方にバイアス磁石9が配置され、バイアス磁石9によるバイアス磁界内に磁気抵抗素子3,4が位置し、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化が磁気抵抗素子3,4にて検出される。基板2の上の磁気抵抗素子3,4に対しセンシング信号を得るための電極5,6,7,8とは別に補正用電極20〜23,30〜33が配置されている。補正用電極20〜23,30〜33を通して磁気抵抗素子3,4に電流を流し、これにより形成される電流成分にてセンシング信号を得るための電極5,6,7,8を通して磁気抵抗素子3,4に流れる電流成分が補正される。

請求項（抜粋）：

基板の上に磁気抵抗素子を配置するとともに当該基板の後方にバイアス磁石を配置し、バイアス磁石によるバイアス磁界内に磁気抵抗素子を位置させ、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を磁気抵抗素子にて検出するようにした磁気センサにおいて、前記基板の上の磁気抵抗素子に対しセンシング信号を得るための電極とは別に補正用電極を配置し、この補正用電極を通して磁気抵抗素子に電流を流し、これにより形成される電流成分にて前記センシング信号を得るための電極を通して磁気抵抗素子に流れる電流成分を補正するようにしたことを特徴とする磁気センサ。

Fターム (10件)：

2F077AA11 , 2F077NN02 , 2F077NN21 , 2F077PP14 , 2F077RR03 , 2F077RR13 , 2F077TT06 , 2F077TT32 , 2F077UU09 , 2F077WW06

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-110612
特開昭61-201168
特開平3-195970

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