特許

J-GLOBAL ID：200903025597108999

高出力半導体レーザ素子

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-063601
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251019
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、高信頼性を得ることができる最大光出力を増大させる。【解決手段】 それぞれ、p型,n型クラッド層6,4;16,14に挟まれた活性層5,15が、p+n+接合10,11のトンネル接合を介して基板1上に積層されており、それぞれの活性領域の幅W1 は、上部活性領域はリッジストライプ構造により、下部活性領域は電流狭窄構造により制限されている。なお、W1 =10μm〜100μmとし、活性層5,12間の距離をh1 としたとき、h1 ≦W1 、かつ、素子幅は(W1 +2h1 )以上とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの活性層と該活性層を挟むp型およびn型のクラッド層とから成るレーザ構造が複数、p+n+接合のトンネル接合を介して基板上に積層されており、前記複数のレーザ構造の各活性領域の幅が10μm以上かつ100μm以下であり、前記複数のレーザ構造の活性領域による実質的な活性領域幅をW、前記複数のレーザ構造のうち互いに最も離れた活性層間の距離をhとしたとき、h≦W、かつ、素子幅が(W+2h)以上であり、前記レーザ構造の各々が少なくとも電流狭窄構造もしくは屈折率導波構造のいずれかを有することを特徴とする高出力半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/223

FI (2件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/223

Fターム (11件)：

5F073AA13 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB08 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA18 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14