特許
J-GLOBAL ID:200903025599690520

レジスト塗布装置,レジスト塗布方法,レジスト現像装置及びレジスト現像方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-240791
公開番号(公開出願番号):特開平11-087215
出願日: 1997年09月05日
公開日(公表日): 1999年03月30日
要約:
【要約】【課題】大径のウェハに対しても微細なレジストパターンを形成するためのレジスト塗布装置及びその方法とレジスト現像装置及びその方法とを提供する。【解決手段】 半導体ウェハ11はウェハ保持台12に保持され、ウェハ移動機構13によって移動する。レジスト塗布用容器14には、レジスト供給容器16からレジスト供給パイプ17を介してレジスト15が供給される。半導体ウェハ11はレジスト塗布用容器14の先端から凸状に押し上げられているレジスト15に接触しながら移動し、半導体ウェハ11の表面上にレジスト膜15aが塗布される。レジスト膜15aが塗布された後の半導体ウェハ11の回転が無いことから遠心力のウェハ面内不均一が無いため、膜厚均一性の優れたレジスト塗布が可能になる。
請求項(抜粋):
レジストを供給するためのレジスト供給口と、上記供給口から上記レジストを凸状に押し出させるためのレジスト押し出し機構と、上記レジストとウェハとを接触させながら上記ウェハと上記レジスト供給口とを相対的に移動させるための移動機構とを備えていることを特徴とするレジスト塗布装置。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502
FI (7件):
H01L 21/30 564 C ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 569 C ,  H01L 21/30 569 F
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 基板処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-135883   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
  • 特開昭60-193339
審査官引用 (2件)
  • 特開昭60-193339
  • 基板処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-135883   出願人:大日本スクリーン製造株式会社

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