特許

J-GLOBAL ID：200903025602582564

耐酸化性蛍光体及びその製造法

発明者： 森山 浩文 ,  森山 智文 ,  神田 力
出願人/特許権者： 株式会社東京化学研究所
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011635
公開番号（公開出願番号）：特開2001-200249
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】【課題】 従来のベーキング工程を変更することなく、蛍光体の酸化による輝度低下を抑制することのできる耐酸化性蛍光体及びその製造法を得る。【解決手段】 蛍光体粒子の表面がフッ化マグネシウム層またはフッ化カルシウム層で被覆されているもの。

請求項（抜粋）：

蛍光体粒子の表面がフッ化マグネシウム層で被覆されていることを特徴とする耐酸化性蛍光体。

IPC (3件)：

C09K 11/08 ,  C09K 11/02 ,  H01J 9/22

FI (3件)：

C09K 11/08 G ,  C09K 11/02 Z ,  H01J 9/22 D

Fターム (3件)：

4H001CC08 ,  4H001CF01 ,  5C028EE11