特許
J-GLOBAL ID：200903025609297954
イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301965
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236747
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板に向かって非常に低エネルギーの電子を放出し、イオン注入中の半導体基板に生成した正電荷を自己調整して中性化するプラズマ放出システムを提供する。【構成】 半導体基板内のイオン注入時に用いられるプラズマ放出システムは、低エネルギー電子を含むプラズマを発達させるプラズマ及び低エネルギー電子源12を備えている。この低エネルギー電子は、負電位にバイアスされていると共に尖点場磁石56による磁場に支援されている電子閉込め管10への輸送と、この電子閉込め管10を通過して半導体基板に向かって軸方向に流れているイオンビーム16内への輸送とをプラズマ強化磁石42による磁場によって増大されている。そのため、半導体基板における重大な負の帯電を起こさずに、半導体基板の表面上における正電荷は自己調整して中性化されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板内のイオン注入中に該半導体基板上に生成した正電荷を中性化する電子放出システムであって、軸方向にイオンビームを受け入れ、半導体基板に向かって輸送する電子閉込め管と、低エネルギー電子を含むプラズマを形成するフィラメント及びガスを有すると共に、該低エネルギー電子を前記電子閉込め管内に輸送し、前記電子閉込め管内を通過している前記イオンビームに合流するように、前記電子閉込め管内への開口に繋がった放出開孔を有するプラズマ発生チャンバと、このプラズマ発生チャンバを負電位で遮蔽し、前記電子閉込め管内に向かう前記低エネルギー電子の輸送を制御すると共に、前記半導体基板上の正電荷を中性化するように前記半導体基板に向かう前記イオンビームに沿ってその内部に前記低エネルギー電子の流れを合流して増強するように、前記半導体基板に相対して前記電子閉込め管を負電位にバイアスする手段とを備えることを特徴とする電子放出システム。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
, H05H 1/00
