特許
J-GLOBAL ID：200903025610123994
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155958
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142513
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 良好なゲート耐圧と、低い寄生抵抗のFETを得る。【構成】 ゲート絶縁層3は、第一の半導体からなるn形層を含む電子供給層3b、第一の半導体より電子親和力の大きい第二の半導体からなる電子の共鳴準位の生成される量子井戸層3d、第一の半導体より電子親和力の小さい第三の半導体からなる量子障壁層3eが形成された層構造である。ゲート6直下では、電子の基底準位はフェルミレベルより十分高いエネルギーとなり基底準位を介した伝導は起こらず、量子障壁層3eの高い伝導帯エネルギーによりゲート・リーク電流が大幅に低減され、キャップ層4下では、基底準位のエネルギーが低下しフェルミレベルに接近するため、共鳴トンネル電流が流れキャップ-チャネル間抵抗が著しく低減される。
請求項（抜粋）：
チャネル層と、ゲート絶縁層と、キャップ層とを有する電界効果トランジスタであって、前記ゲート絶縁層は、第一の半導体からなる少なくとも一層のn形層を含む電子供給層と,第一の半導体より電子親和力の大きい第二の半導体からなる電子の共鳴準位の生成される量子井戸層と、第一の半導体より電子親和力の小さい第三の半導体からなる量子障壁層とが順次形成された層構造を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/78
, H01L 29/812
H01L 29/80 B
, H01L 29/78 301
