特許
J-GLOBAL ID：200903025610177318
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174333
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系AlxGayIn1-x-yN(0≦x,y≦1,x+y≦1) 化合物半導体発光素子構造において、発光効率が良く、素子抵抗を抑えた発光素子構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】n-GaNクラッド層と、前記n-GaNクラッド層上に形成されたAlxGayIn1-x-yN(0≦x,y≦1,x+y≦1)材料からなる活性層と、前記活性層上に形成されたp-GaNクラッド層と、前記p-GaNクラッド層上に形成された接続層と、前記接続層上に形成された導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第一の電極と、前記n-GaNクラッド層上の一部に形成された第二の電極とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
n-GaNクラッド層と、前記n-GaNクラッド層上に形成されたAlxGayIn1-x-yN(0≦x,y≦1,x+y≦1)材料からなる活性層と、前記活性層上に形成されたp-GaNクラッド層と、前記p-GaNクラッド層上に形成された接続層と、前記接続層上に形成された導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第一の電極と、前記n-GaNクラッド層上の一部に形成された第二の電極と、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041DA18
, 5F041DA43
