特許

J-GLOBAL ID：200903025616599249

半導体装置の製造方法

発明者： 曽谷 直哉 ,  綾 洋一郎 ,  野口 幸宏 ,  井手 大輔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189458
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板1上に、非晶質シリコン膜2aを形成する。その非晶質シリコン膜2a上にWシリサイド膜(導電膜)4bを形成する。そして、Wシリサイド膜(導電膜)4bに対し、高周波やYAGレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Wシリサイド膜(導電膜)4bを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜2aを多結晶シリコン膜2に変える。

請求項（抜粋）：

基板上に第1非晶質シリコン膜を形成する第1の工程と、前記第1非晶質シリコン膜の上に導電膜を形成する第2の工程と、前記導電膜に電磁波を照射することにより導電膜を発熱させ、この熱を利用して前記第1非晶質シリコン膜を第1多結晶シリコン膜に変える第3の工程と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (5件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500

Fターム (128件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA10 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA22 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA09 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA02 ,  5F052EA03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG48 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110NN43 ,  5F110NN46 ,  5F110NN50 ,  5F110NN54 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP11 ,  5F110PP27 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-035571
  
• 特開昭60-257124
  
• 特開平2-275641
  
• 特開昭56-129321