特許
J-GLOBAL ID：200903025621788858
半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182239
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021349
出願日： 2007年07月11日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】容易に素子単位に分割可能な半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、基板2と、活性層12の主面12a及び各層11、13、14の主面が無極性面であるm面により構成された半導体積層構造3と、カソード電極4と、アノード電極5とを備えている。基板2は、製造工程において劈開可能な厚みを有する。具体的には、基板2は、約100μm以下の厚みを有する。ここで、基板2は、半導体積層構造3を形成する際には約300μm程度の厚みを有する。しかし、基板2は、素子単位に分割する前に、劈開により分割できるように上述した厚みになるまで研削される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、略無極性面または略半極性面を主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層を含み且つ前記基板の一方の面に形成された半導体積層構造とを備えた半導体発光素子の製造方法において、
略無極性面または略半極性面を一方の面とする基板を作製する基板作製工程と、
前記基板の一方の面に半導体積層構造を成長させる半導体成長工程と、
前記半導体成長工程の後に前記基板の他方の面を研削する研削工程とを備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01S5/343 610
5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F041CB36
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AP94
, 5F173AR99
