特許

J-GLOBAL ID：200903025622563116

半導体発光素子の製造方法

発明者： 曽根 豪紀
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186198
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008055
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 発光面の一部にメッシュ状の電極等の細い電極を有する半導体発光素子の製造方法であって、発光効率が高く且つ半導体と電極との間の接触抵抗が低い半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子10の表面に粗面化処理を施す際に、被覆膜形成工程において半導体表面上における上部電極24の外側面を覆うように、レジストによる被覆膜が形成されている為、粗面化処理工程においてエッチングにより粗面化処理が行われる際、発光面28の一部にメッシュ状の電極等の細い上部電極24を有する半導体発光素子10であっても上部電極24と接していた半導体表面を浸食することなく、半導体表面の上部電極24直下の部分を除く他の領域に多数の微小突起を形成させることができる為、発光効率が高く且つ半導体と上部電極24との間の接触抵抗が低い半導体発光素子10。

請求項（抜粋）：

発光面上の一部に電極が形成された半導体発光素子の製造方法であって、該発光面上に形成された電極の外側面を覆うように、レジストによる被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、該被覆膜が形成された状態で前記半導体発光素子の表面にエッチングを施し、該半導体発光素子表面のうち前記電極直下の部分を除く他の領域に多数の微小突起を形成する粗面化処理工程とを、含むものであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

Fターム (11件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CB06 ,  5F041FF01 ,  5F041FF14