半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261836
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は信頼性が良好で、かつ、簡単な製造工程で、安価な半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置100は、n型InP基板101上に、n型InPクラッド層102、アンドープInGaAsP活性層103、p型InPクラッド層104、p型InGaAsPコンタクト層105が積層された後、メサストライブ形状112にエッチングされる。n型InPクラッド層102上に、アンドープInGaP/InP歪超格子構造106及びアンドープInP埋め込み層107が形成された後、プロトン注入による高抵抗領域108が形成され、p側オーミック電極109が形成される。n型InP基板101の裏面に、n側オーミック電極110が形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のクラッド層と第1導電型、第2導電型あるいはアンドープの活性層と第2導電型のクラッド層と第2導電型のコンタクト層からなるメサストライプ形状の積層構造が形成され、該メサストライプの側面に平らに埋め込まれてアンドープ半導体層が形成され、前記アンドープ半導体埋め込み層にその表面から前記活性層面よりも上の位置までイオンが打ち込まれて高抵抗領域が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

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