特許
J-GLOBAL ID：200903025628401150
薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124232
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333846
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、成膜中及びその前後に反応室圧力が中間流領域を越えて変動しても、基体温度が安定であり、成膜速度や膜質の変動が小さい薄膜形成装置を提供する。【構成】 基体の支持体を設けた反応室、支持体を介して基体を加熱するヒータ、反応ガスの供給手段、排気手段、基体に吸収される可視赤外光を含む光の照射手段とで構成される薄膜形成装置であって、前記ヒータで発生し支持体を介して基体へ伝導する熱量と前記光の一部が基体中で変換することにより発生し基体から支持体へ伝導する熱量とが略略等しくなるように光とヒータに供給する電力を制御することを特徴とする薄膜形成装置。
請求項（抜粋）：
被覆基体を保持する為の支持体を内部に含む反応室と、該支持体に接触して設置され該支持体を通して前記基体を加熱するヒータと、前記反応室にガスを供給する手段と、該反応室からガスを排気する手段と、前記基体に吸収される可視赤外光を含む光を照射する手段とで構成される薄膜形成装置であって、前記ヒータで発生し前記支持体から前記基体へ伝導する熱量と前記光の一部が前記基体中で変換することにより発生し該基体から前記支持体へ伝導する熱量とが略略等しくなるように前記光と前記ヒータに供給する電力を制御することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C23C 16/50
, H01L 21/26
