特許

J-GLOBAL ID：200903025628484277

高速ターンオフパワー半導体素子

発明者： ジファ ハオ
出願人/特許権者： インターシル コーポレイション
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119633
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323724
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高速ターンオフ特性を有するパワー半導体素子を提供することである。【解決手段】 素子の電荷注入領域内の少数キャリアの高速な再結合機構により、半導体スイッチに、高速ターンオフ特性が与えられる。領域それ自身或は、複数の並列接続されたそのような領域の各々の部分は、結晶粒の間の境界で接合されたシリコンの小さな単結晶粒を有する多量にドープされた多結晶シリコンの本体を有する。結晶粒の境界は、再結合による多結晶本体内の小数キャリアの捕獲と高速な消滅のための、深いレベルのエネルギートラップを提供する。本体に効率的に多数キャリアを注入するために、電極は、1つまたは各多結晶シリコン本体とオーム接触する。

請求項（抜粋）：

シリコンの第2の領域とp-n接合を形成する単結晶シリコンの第1の領域を有する高速ターンオフ半導体パワー制御スイッチであって、前記p-n接合と間が空いているが直接重なる面を有する多量にドープされた多結晶シリコンの第3の領域と、前記第3の領域及び、前記第2及び、第1の領域に電荷キャリアを注入するための、前記第3の領域の前記面に直接重なり且つオーム接触する電極を有することを特徴とするスイッチ。