特許

J-GLOBAL ID：200903025633914026

光電子装置

発明者： 吉田 幸司 ,  古後 健治 ,  井戸 立身 ,  服部 信一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364889
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200279
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】高速駆動が可能な高周波特性の優れた光電子装置を提供する。【解決手段】導体層や貫通導体を設けた複数の誘電体層を積層させて形成した多層配線構造のケースと、ケースを塞ぐキャップと、ケースの内底上に固定される支持基板と、ケース及びキャップとで形成されるパッケージの内外に亘って延在する光ファイバと、支持基板上に固定されかつ光ファイバと光の授受を行う光半導体素子(半導体レーザ)と、パッケージ内に配置され、光半導体素子との間で回路を構成する複数の部品と、ケースの側面の導体層に固定されパッケージ内部の導体層と電気的に繋がるリードとを有する光電子装置であって、入出力信号配線となる導体層はその両側にそれぞれ所定の間隔離れてグランド導体層が配置され(グラウンデッドコプレーナ伝送線路)るとともに、上又は/及び下には誘電体を介してそれぞれ所定の間隔離れてグランド導体層が配置されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導体層や貫通導体を設けた複数の誘電体層を積層させて形成した多層配線構造のケースと、 前記ケースを塞ぐキャップと、 前記ケースの内底上に固定される支持基板と、 前記ケース及び前記キャップとで形成されるパッケージの内外に亘って延在する光ファイバと、 前記支持基板上に固定され、かつ前記光ファイバと光の授受を行う光半導体素子と、 前記パッケージ内に配置され、前記光半導体素子との間で回路を構成する複数の部品と、 前記ケースの側面の導体層に固定され、前記パッケージ内部の導体層と電気的に繋がるリードとを有する光電子装置であって、 入出力信号配線となる導体層はその両側にそれぞれ所定の間隔離れてグランド導体層が配置されるとともに、上又は/及び下には前記誘電体を介してそれぞれ所定の間隔離れてグランド導体層が配置されていることを特徴とする光電子装置。

IPC (3件)：

H01S5/022 ,  G02B6/42 ,  H01L27/14

FI (3件)：

H01S5/022 ,  G02B6/42 ,  H01L27/14 J

Fターム (22件)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA35 ,  2H037DA36 ,  2H037DA40 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118CA02 ,  4M118CB03 ,  4M118HA23 ,  5F073AB21 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073EA14 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29 ,  5F073FA30