化学機械研磨方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-058310
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】多重輪帯状研磨パッドを用いて有効研磨面積を大きくし、基板等の被研磨面の全面あるいは一部分を高精度に研磨することを可能にする。【解決手段】基板等の被加工物の被研磨面の口径よりも小さい口径の研磨工具ユニット10は、同軸状に設けられた径の異なる複数の輪帯状研磨パッド11a,11bをそれぞれ保持する研磨パッド保持部12a,12bと研磨パッド保持部12a,12bにそれぞれ連続する複数の円筒状軸部13a,13bとからなり、円筒状軸部13a,13bには回転駆動機構兼直線駆動機構14a,14bをそれぞれ連結する。多重輪帯状研磨パッド11a,11bを、駆動機構14a,14bによって、基板Wの被研磨面に当接させて所定の加工圧を与えて両研磨パッドを同一周速度で高速に自転させ、基板Wの被研磨面に研磨剤を供給しながら、被研磨面の全面あるいは一部分を化学機械研磨する。

請求項（抜粋）：

被加工物の被研磨面に研磨工具を所定の加工圧を与えた状態で当接させ、その間に研磨剤を供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨方法において、前記被加工物の被研磨面より小さい口径でかつ同軸状に配設された径の異なる複数の輪帯状研磨パッドからなる多重輪帯状研磨パッドを用い、該多重輪帯状研磨パッドを前記被加工物の被研磨面に当接させた状態で回転させて研磨を行なうことを特徴とする化学機械研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 37/00 C , B24B 37/04 B , H01L 21/304 321 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板の平坦化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-037627 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-062650
特開昭63-295175

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