特許

J-GLOBAL ID：200903025649134110

容量可変素子

発明者： 喜多 隆介 ,  増田 義行 ,  佐藤 咲子 ,  大谷 昇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-279143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121277
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板上にも容易に形成でき、小型で、低電圧で容量変化が大きく、1GHz以上の周波数でもキャパシタ特性が劣化しない低電圧で容量変化が大きく、小型で優れた容量可変素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板1上に少なくとも下部電極2、誘電体薄膜3及び上部電極5を順次備えて構成されており、誘電体薄膜3が、チタン酸バリウムのチタン元素が部分的にジルコニウム、ハフニウム又はジルコニウムとハフニウムとの双方で置換されてなり、下部電極2と上部電極5間に電圧を印加して容量を変化させ得る容量可変素子。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも下部電極、誘電体薄膜及び上部電極を順次備えて構成されており、前記誘電体薄膜が、チタン酸バリウムのチタン元素が部分的にジルコニウム、ハフニウム又はジルコニウムとハフニウムとの双方で置換されてなり、前記下部電極と上部電極間に電圧を印加して容量を変化させ得ることを特徴とする容量可変素子。