半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203371
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070039
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】工程数を削減し、安定した広いプロセスマージンを有するトレンチ素子分離の形成方法を提供する。【構成】半導体基板の主表面に選択的に積層薄膜を形成する工程と、積層薄膜の形成されていない半導体基板の主表面に凹部を形成する工程と、積層薄膜および凹部を被覆する埋込み絶縁膜を形成する工程と、凹部の埋込み絶縁膜上にレジストパターンを選択的に形成する工程と、積層薄膜上の埋込み絶縁膜をドライエッチングする工程と、積層薄膜を化学的機械研磨の保護膜とし前記凹部の埋込み絶縁膜を化学的機械研磨する工程とを含む半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面に選択的に積層薄膜を形成する工程と、前記積層薄膜の形成されていない前記半導体基板の主表面に凹部を形成する工程と、前記積層薄膜および凹部を被覆する埋込み絶縁膜を形成する工程と、前記凹部の前記埋込み絶縁膜上にレジストパターンを選択的に形成する工程と、前記積層薄膜上の埋込み絶縁膜をドライエッチングする工程と、前記積層薄膜を化学的機械研磨の保護膜とし前記凹部の埋込み絶縁膜を化学的機械研磨する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/306 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-148155
特開昭60-124839
特開平4-250650

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