ZnO系焼結体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鴨田朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062777
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256320
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】透過率が高くて抵抗値が低く、DCスパッタリング中の異常放電の発生が長期にわたって少なく、特性の優れた膜を効率よく成膜することが可能であり、かつ、生産性に優れていて安価なスパッタリングターゲット用ZnO系焼結体を提供する。【解決手段】 Gaを3〜7原子%、そして、Al、B、In、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛とガリウムと前記第3元素の複合酸化物からなる。このZnO系焼結体は、焼結密度が4.8g/cm3 以上であり、かつ、前記複合酸化物の結晶平均粒径が4〜15μmであることが好ましい。

請求項（抜粋）：

Gaを3〜7原子%、および、Al、B、In、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛とガリウムと前記第3元素の複合酸化物からなることを特徴とするZnO系焼結体。

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