特許

J-GLOBAL ID：200903025662001870

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 萩原 裕之 ,  間 博顕 ,  白田 理一郎 ,  有留 誠一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269471
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 ヒューズ切断用レーザのパワーマージンを十分に確保する。【解決手段】 メモリセルアレイ部MSは、コントロールゲート電極12(CG)及びフローティングゲート電極16(FG)を有するスタックゲート構造のメモリセルから構成される。ヒューズ部FSは、コントロールゲート電極12(CG)と同じ材料からなるヒューズ12と、ヒューズ12直下に配置され、フローティングゲート電極16(FG)と同じ材料からなる保護パッド16と、ヒューズ12と保護パッド16間に配置され、コントロールゲート電極12(CG)とフローティングゲート電極16(FG)間の絶縁膜と同じ材料からなる絶縁膜17とから構成される。保護パッド16は、電気的にフローティング状態であり、メモリセルアレイ部の構造とヒューズ部の構造は、実質的に同一である。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイ部とヒューズ部を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルアレイ部は、コントロールゲート電極及びフローティングゲート電極を有するスタックゲート構造のメモリセルから構成され、前記ヒューズ部は、前記コントロールゲート電極と同じ材料からなるヒューズと、前記ヒューズの直下に配置され、前記フローティングゲート電極と同じ材料からなる保護パッドと、前記ヒューズと前記保護パッドの間に配置され、前記コントロールゲート電極と前記フローティングゲート電極間の絶縁膜と同じ材料からなる絶縁膜とから構成されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/82 F ,  H01L 29/78 371

Fターム (34件)：

5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AD60 ,  5F001AD62 ,  5F001AD94 ,  5F001AE40 ,  5F001AE50 ,  5F001AF25 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F001AG40 ,  5F001AH07 ,  5F064BB15 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF33 ,  5F064FF43 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083GA30 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR49 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA10 ,  5F083ZA28