特許
J-GLOBAL ID：200903025665684138
半導体装置の内部電源発生回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115059
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096596
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の内部電源発生回路を提供する。【構成】 外部電圧を入力して内部電圧を発生するための内部電圧発生回路において、外部電圧に対する内部電圧の特性が、外部電圧の第1電圧区間では基準電圧まで外部電圧により内部電圧が線形的に増加した後、外部電圧の第2電圧区間では外部電圧に関係なく基準電圧を保ち、第2電圧区間の最後で上昇し外部電圧の第3電圧区間では第2区間の最後で上昇された電圧から線形的に上昇するように成り立つ。従って、半導体装置の信頼性テストのため有用である。
請求項（抜粋）：
外部電圧を入力して内部電圧を発生するための内部電圧発生回路において、前記外部電圧に対する内部電圧の特性が前記外部電圧の第1電圧区間では基準電圧まで外部電圧に従って内部電圧が線形的に増加した後、外部電圧の第2電圧区間では外部電圧に関係なく前記基準電圧を保ち、後前記第2電圧区間の最後で上昇し外部電圧の第3電圧区間では前記第2区間の最後で上昇された電圧から線形的に上昇することを特徴とする半導体装置の内部電源発生回路。
IPC (4件)：
G11C 29/00
, G05F 1/56 310
, G11C 11/413
, G11C 11/407
G11C 11/34 335 A
, G11C 11/34 354 F
