特許

J-GLOBAL ID：200903025668543012

ガスセンサ

発明者： 庄山 昌志
出願人/特許権者： 三重県
代理人 (1件)： 和気 操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-257823
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】簡易な構造で、センサ感度およびガス選択性に優れたガスセンサを提供する。【解決手段】基板と、この基板上に形成された積層金属酸化物膜とを備えてなるガスセンサであって、該積層金属酸化物膜は、上記基板上に形成された感ガス層である第1の金属酸化物膜と、該膜上に形成された第2の金属酸化物膜とを少なくとも備えてなり、上記第2の金属酸化物膜が前記第1の金属酸化物膜におけるガス感度を選択的に向上させる。また、上記第1の金属酸化物膜は、n型半導体酸化物である。また、第2の金属酸化物膜は、エピタキシャル薄膜である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された積層金属酸化物膜とを備えてなるガスセンサであって、 前記積層金属酸化物膜は、前記基板上に形成された感ガス層である第1の金属酸化物膜と、該膜上に形成された第2の金属酸化物膜とを少なくとも備えてなり、 前記第2の金属酸化物膜は、前記第1の金属酸化物膜におけるガス感度を選択的に向上させる金属酸化物膜であることを特徴とするガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N27/12

FI (2件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C

Fターム (23件)：

2G046AA11 ,  2G046AA13 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046DB05 ,  2G046DC13 ,  2G046EA02 ,  2G046FA01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE15 ,  2G046FE20 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE48