特許

J-GLOBAL ID：200903025676552578

バンプ構造

発明者： 浅野 宏二
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325838
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167771
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 バンプ高さのばらつきを吸収でき、短時間に簡単に接続でき、ショート不良の発生の少ない信頼性の高いバンプ構造の提供にある。【解決手段】 半導体装置1の電極パッド上に下段のバンプ4,最上段のバンプ3をボールボンディング方式で積重ねて形成する。最上段のバンプ3の径を下段のバンプ4の径より小さく形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極パッドにボールボンディングによって積重ねて形成するバンプ構造において、基板上の電極と接続される最上段のバンプの径を、前記最上段のバンプより下の段にあるバンプの径より小さくしたことを特徴とするバンプ構造。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 J