特許

J-GLOBAL ID：200903025676814602

成長装置

発明者： 阿川 義昭 ,  原 泰博 ,  大庭 昌俊 ,  古瀬 晴邦 ,  天野 公夫 ,  久保 昌司 ,  天野 繁
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089939
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285430
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】グラファイトナノファイバの成長において、消費電力を低減し、成長速度が低下しない技術を提供する。【解決手段】本発明の成長装置1は、ヒータ161〜163と、こそげ部材611〜613を有している。ヒータ161〜163は金属プレート131〜133内に設けられており、直接金属プレート131〜133を加熱するので、反応槽を加熱して間接的に金属プレートを加熱した従来に比して効率良く金属プレート131〜133を加熱し、ヒータ161〜163に供給する電力消費を低減することができる。更に、成長中に、金属プレート131〜133の表面に付着したグラファイトナノファイバをこそげ部材611〜613で定期的にこそげ落としているので、グラファイトナノファイバの付着量は多量にならず、付着量が多量になることで成長速度が著しく低下しないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

反応槽と、前記反応槽内に配置された板状部材と、前記板状部材内部に配置された加熱機構と、前記反応槽内部に原料ガスを導入するガス導入手段とを有し、前記反応槽内を真空排気し、前記加熱機構で前記板状部材を加熱し、前記ガス導入手段で前記反応槽内に前記原料ガスを導入して、前記板状部材の表面に、前記原料ガスに応じた成長物質を成長させられるように構成された成長装置。

IPC (3件)：

D01F 9/133 ,  B01J 19/00 ,  C01B 31/02 101

FI (3件)：

D01F 9/133 ,  B01J 19/00 A ,  C01B 31/02 101 F

Fターム (31件)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4G046EA06 ,  4G046EB01 ,  4G046EB02 ,  4G046EB09 ,  4G046EC02 ,  4G046EC06 ,  4G075AA03 ,  4G075AA23 ,  4G075AA29 ,  4G075BA01 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BB10 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA51 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EE12 ,  4L037CS04 ,  4L037FA20 ,  4L037PA02 ,  4L037PA06 ,  4L037PA17 ,  4L037PA21 ,  4L037UA20