特許

J-GLOBAL ID：200903025686101019

高周波電極およびプラズマ処理装置

発明者： 竹内 博明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236207
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053968
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】 高周波伝送線路に生じる定在波の節の影響を抑制した高周波電極、およびそれを用いてプラズマ分布の生じない良好な処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 高周波電力が供給される高周波電極1に窪み部2を形成し、高周波電極の表面1aから窪み部2の内表面2bを通って表面1aに高周波電力が伝送されるように、高周波伝送線路を形成する。高周波伝送線路で発生する定在波の節の位置近傍に窪み部2を形成し、窪み部2の中に定在波の節が隠し込まれるようにする。

請求項（抜粋）：

高周波電力が供給される高周波電極であって、該高周波電極は窪み部を有し、該窪み部に対して一方側の該高周波電極の表面から、該窪み部の内表面を通って、該窪み部に対して他方側の該高周波電極の表面に高周波電力が伝送される高周波伝送線路が形成されている高周波電極。

IPC (3件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 L

Fターム (27件)：

4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030CA02 ,  4K030CA14 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030JA19 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AE15 ,  5F045AE23 ,  5F045BB03 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DP27 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EK07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマCVD装置及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-081506   出願人：キヤノン株式会社