特許

J-GLOBAL ID：200903025691104492

プログラム可能なデータ記憶装置としての電気ヒューズ

発明者： 荘 建祥 ,  羅 吉進
出願人/特許権者： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
代理人 (4件)： 牛木 護 ,  清水 栄松 ,  外山 邦昭 ,  吉田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-163599
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354054
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 バラツキがなく一様に、かつより低電力レベルで飛ばせる電気ヒューズを提供する。 【解決手段】 電気ヒューズ100を開示する。該電気ヒューズ100は、ポリシリコン層202上にシリサイド層204が形成されてなり、半導体基板212から電気ヒューズ100を分離させる第1の絶縁体部分と、その真上にある少なくとも1つの電気導体から電気ヒューズを分離させる第2の絶縁体部分とを備える。ポリシリコン層202は、厚さが少なくとも2000オングストロームであると共に、幅が0.14μm以下であり、かつ、第2の絶縁体部分は実質的にlow-K材料を含んでいる。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ポリシリコン層上にシリサイド層が形成されてなる電気ヒューズと、 前記電気ヒューズを半導体基板から分離させる第1の絶縁体部分と、 前記電気ヒューズを、前記ヒューズの真上にある少なくとも1つの電気導体から分離させる第2の絶縁体部分とからなり、 前記ポリシリコン層は、厚さが少なくとも2000オングストロームであると共に、幅が0.14μm以下であり、かつ、前記第2の絶縁体部分が実質的にlow-K材料を含んでいる電気ヒューズ。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  H01L21/82

FI (2件)：

H01L27/10 431 ,  H01L21/82 F

Fターム (11件)：

5F064FF02 ,  5F064FF04 ,  5F064FF27 ,  5F064FF45 ,  5F064GG05 ,  5F083CR12 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6566171号明細書
  

審査官引用 (2件)

• シリサイド凝集ヒューズ装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-513759   出願人：インテル・コーポレーション
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-229346   出願人：株式会社ルネサステクノロジ