特許
J-GLOBAL ID：200903025700427038
不揮発性半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124279
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299661
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 紫外光の出力を大きくすることなく、しかもオーバコート層のパッシベーション的機能の信頼性を低下させることなく、照射される紫外光を効率的に情報の消去に用いることが可能であり、短時間で情報の消去が可能な不揮発性半導体装置を提供すること。【構成】 電荷が蓄積されるフローティングゲート8を有する構造の複数のメモリセルと、これらメモリセルの上層に層間絶縁層14を介して積層してある複数列の電極層16と、これら電極層16の上層に積層してあるオーバコート層22とを有する不揮発性半導体装置であって、上記オーバコート層22を、少なくとも二層以上の多層膜23,25で構成し、最外層23の屈折率を、それより内側の層25の屈折率よりも小さく構成してある。
請求項（抜粋）：
電荷が蓄積されるフローティングゲートを有する構造の複数のメモリセルと、これらメモリセルの上層に層間絶縁層を介して積層してある複数列の電極層と、これら電極層の上層に積層してあるオーバコート層とを有する不揮発性半導体装置であって、上記オーバコート層は、少なくとも二層以上の多層膜で構成し、最外層の屈折率が、それより内側の層の屈折率よりも小さいことを特徴とする不揮発性半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
