特許
J-GLOBAL ID：200903025704270788
ECRプラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058278
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266992
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【構成】 一対をなす磁気コイルにより真空容器内にミラー磁場を印加し、真空容器内の試料基板を磁気コイル間の中間位置付近に配置する一方、ミラー磁場のECR面付近における磁場軸方向の磁場勾配dB/dZに対して、マイクロ波導入窓からECR面までの距離を、23・(dB/dZ)(-0.6)以上かつ44・(dB/dZ)(-0.6)以下となる範囲を満たすように設定する。【効果】 高密度プラズマが生成されて試料基板をECR面より遠ざけて配した状態においても高エッチング速度にてエッチング処理できるとともに、イオンが試料基板面全体にわたって垂直入射し、垂直エッチングを行うことができる。ECR面の近傍に試料基板を近づけることなく高エッチング速度が得られるので、試料基板に対する低ダメージを実現できるとともに、高周波の利用が不要となって高選択比のエッチング処理ができる。
請求項（抜粋）：
磁場を印加した真空容器内に処理ガスを導入するとともにマイクロ波導入窓からマイクロ波を導入し、前記磁場とマイクロ波により発生する電場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴(ECR)現象を利用して処理ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真空容器内に配置された試料基板に照射してこの試料基板をエッチング処理するECRプラズマエッチング方法において、一対をなす磁気コイルの一方の磁気コイルをマイクロ波導入窓及びこれに隣接する部位の導波管の周りに真空容器中心軸線を中心としてこれらと同心的に配置し、他方の磁気コイルを前記一方の磁気コイルより所定距離を隔てて真空容器の周りに真空容器中心軸線を中心として真空容器と同心的に配置し、前記一対をなす磁気コイルに同一方向に同一の励磁電流を流すことにより、真空容器内に印加する前記磁場としてミラー磁場を形成し、前記試料基板を前記一対をなす磁気コイル間の中間位置付近に配置する一方、前記ミラー磁場のECR面付近における磁場軸方向の磁場勾配dB/dZ(Gauss /mm)に対して、マイクロ波導入窓からECR面までの距離L(mm)を、23・(dB/dZ)(-0.6)以上かつ44・(dB/dZ)(-0.6)以下となる範囲を満たすように設定することを特徴とするECRプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/302
