特許
J-GLOBAL ID:200903025706078019
冷陰極電子装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大胡 典夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-398999
公開番号(公開出願番号):特開2002-203469
出願日: 2000年12月27日
公開日(公表日): 2002年07月19日
要約:
【要約】【課題】 ゲート、エミッタ間の距離を短縮でき駆動電圧を大幅に低下できる冷陰極電子装置(FED)を得る。【解決手段】 アノード16に向けてエミッタ13をもつ冷陰極11から放出される電子を制御するゲートの支持およびゲート15、エミッタ間の絶縁に自己酸化膜を有するタンタル基板14を用いる。
請求項(抜粋):
真空外囲器と、この外囲器内に配置され、電子を放出する冷陰極と、この冷陰極に対向して設けられるアノードと、前記冷陰極とアノード間に設けられ前記電子を制御する制御電極とを具備する冷陰極電子装置において、前記制御電極は自己酸化膜で覆われたタンタル板からなるタンタル基板で支持されてなることを特徴とする冷陰極電子装置。
IPC (3件):
H01J 1/304
, H01J 29/04
, H01J 31/12
FI (3件):
H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
Fターム (9件):
5C031DD17
, 5C036EE19
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF08
, 5C036EG02
, 5C036EG12
, 5C036EG31
, 5C036EH04
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