特許

J-GLOBAL ID：200903025707568087

半導体装置

発明者： 角田 一夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243395
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 コンタクトホールを介して上下配線を接続する方法に関し,コンタクト抵抗,エレクトロマイグレーション耐性を向上した微細コンタクトホール内の接続構造の提供を目的とする。【構成】 半導体基板1表面に形成され,選択的に該半導体基板表面を底面に露出するコンタクトホールを有する絶縁膜2と,該コンタクトホール側面を覆うように該絶縁膜表面に選択的に被着形成され,高融点金属を含む金属膜3と,該コンタクトホールを通して該半導体基板表面と電気的に接続し,該絶縁膜上に延在する上層配線4とを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成され,選択的に該半導体基板表面を底面に露出するコンタクトホールを有する絶縁膜と,該コンタクトホール側面を覆うように該絶縁膜表面に選択的に被着形成され,高融点金属を含む金属膜と,該コンタクトホールを通して該半導体基板表面と電気的に接続し,該絶縁膜上に延在する上層配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28