特許

J-GLOBAL ID：200903025710200287

超高純度炭化ケイ素とそれによって作製した高温半導体加工用器具

発明者： マイケル エー.ピッカーリング ,  ジテンドラ エス.ゴエラ ,  リー イー.バーンズ
出願人/特許権者： シーブイディー,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189715
公開番号（公開出願番号）：特開平6-206718
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体拡散炉を用いて高温でシリコンウェーハにドーピング等の各種の加工するにおいて、ウェーハを積載するボート、ウェーハを出し入れするに用いるカンチレバー等の器具に必要な超高純度で高熱伝導率を備えた無垢の炭化ケイ素成形体を提供する。【構成】 メチルトリクロロシランと水素を高温の雰囲気中に導入して、熱分解によって炭化ケイ素をマンドレルの上に堆積させ、マンドレルはその後炭化ケイ素成形体より取り外して無垢の超高純度炭化ケイ素成形体を得る。堆積チャンバーの温度、圧力等は厳密に制御する。酸素は実質的に存在しないことが必要であり、好ましくは供給する水素ガスより連続的に除去する。炉の断熱材等から粒状物質が混入することがあり、適切な手段を設けた堆積チャンバーを含む炉を用いる。

請求項（抜粋）：

グロー放電質量スペクトルで測定した値において、含まれるアルミニウム、ヒ素、ホウ素、カルシウム、カドミウム、クロム、銅、鉄、カリウム、リチウム、マグネシウム、マンガン、ナトリウム、ニッケル、燐、アンチモン、チタン、ジルコニウムの不純物元素の合計が約5重量ppm下である超高純度の一体の自立式CVD-SiC。

IPC (7件)：

C01B 31/36 ,  C04B 35/56 101 ,  C04B 35/56 ,  C04B 41/87 ,  C23C 16/32 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-092447
  
• 特開平3-252307
  
• 特開平1-282153