特許

J-GLOBAL ID：200903025713728045

半導体装置

発明者： 飯野 和宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235659
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055229
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 外部入出力電極間での短絡や、電極及び絶縁膜の破壊を防止する岡状半田バンプ構造の半導体装置を得る。【構成】 半導体装置1の基板2上に形成した電極パッド部3上に形成される絶縁膜4,5の開口部7を、線及び点対称をした形状の複数個の開口部で構成し、この開口部内に岡状半田バンプ8を形成する。これにより、岡状半田バンプの形状も線及び点対称に形成され、岡状半田バンプの各辺における半田の高さが揃い、好適な接続が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の表面に設けた電極パッド部を絶縁膜で覆い、この絶縁膜に開設した開口部内に露出される前記電極パッド部上に半田を岡状に形成して外部との電気的接続を行うための岡状半田バンプを設けた半導体装置において、前記電極パッド部上に形成される絶縁膜の開口部を、線及び点対称をした形状の複数個の開口部で構成したことを特徴とする半導体装置。