特許

J-GLOBAL ID：200903025715810296

複合半導体基板

発明者： 藤井 一宏 ,  阿武 俊彦 ,  服部 高之
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064430
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264637
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 耐湿耐久性に優れた複合半導体基板を提供する。【構成】 1または相互に分離された複数個の半導体単結晶領域と、これを支持する支持基板とが、ガラス物質によって接合された複合半導体基板において、ガラス物質がシリコン、ホウ素および酸素を主成分とし、シリコンとホウ素の原子比(Si/B比)aが1.0≦a≦4.0であり、ガラス物質層の厚みt(μm)が2≦t≦50である複合半導体基板。

請求項（抜粋）：

1または相互に分離された複数個の半導体単結晶領域と、これを支持する支持基板とが、ガラス物質によって接合された複合半導体基板において、該ガラス物質がシリコン、ホウ素および酸素を主成分とし、シリコンとホウ素の原子比(Si/B比)aが1.0≦a≦4.0であり、該ガラス物質層の厚みtが2≦t≦50であることを特徴とする複合半導体基板。

IPC (7件)：

H01L 21/762 ,  C03C 3/089 ,  C04B 37/00 ,  C30B 28/14 ,  C30B 33/10 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (8件)：

H01L 21/76 D ,  C03C 3/089 ,  C04B 37/00 Z ,  C30B 28/14 ,  C30B 33/10 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-242033
  
• 特開昭54-116888
  
• 特開昭52-002283