特許
J-GLOBAL ID：200903025716161682
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292700
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136286
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】本発明は半導体装置を構成する各部材間の熱膨張率差にもとづく、半導体素子1、セラミックス基板2並びに接合層の破壊を防止し、半導体装置の信頼性向上を目的とするものである。【構成】本目的を達成するため、半導体装置を構成する各部材間の中間の熱膨張率を有する網状のシート4を各接合層に配置して接合することにより、熱応力の減少並びに接合層の厚さを制御し、熱疲労による各部材の破壊を防止するものである。
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載した、セラミックス基板を金属放熱板または金属支持板に搭載した半導体装置において、前記セラミックス基板と金属放熱板または金属支持板との接合層は、熱膨張率が各部材の間の値を有する網又は網状のシートを配置して構成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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