特許
J-GLOBAL ID:200903025724310751
リフトオフ方法及び有機膜除去装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-222215
公開番号(公開出願番号):特開2000-058546
出願日: 1998年08月06日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、所定の金属膜からなる微細パターンを高い確実性をもって形成することができると共に、リフトオフされた膜片の再付着や「バリ」の発生を防止することができるリフトオフ方法及びこのリフトオフ方法の実施に使用する有機膜除去装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数のノズルの噴出口からドライアイス粒子を噴出し、Siウェーハ10表面に向かう高速のドライアイス粒子の吹き付け16を行う。そして、この高速のドライアイス粒子の吹き付け16により、Siウェーハ10上のリフトオフ用パターンのフォトレジスト12と共に、フォトレジスト12上のTi/Au金属膜14b、更にはフォトレジスト12側壁の将来「バリ」となる恐れのあるTi/Au金属膜14cを除去し、これらの膜片がSiウェーハ10表面に再付着しないように強力なドライアイス粒子の流れにより洗い流す。
請求項(抜粋):
基板上に塗布した有機膜を所定の形状にパターニングした後、基体全面に所定の金属膜を堆積する第1の工程と、固形粒子を基体全面に吹き付けて、前記有機膜と共に前記有機膜上の前記金属膜を除去する第2の工程と、を有し、前記基板上に、前記金属膜からなる所定のパターンを形成することを特徴とするリフトオフ方法。
IPC (3件):
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
FI (3件):
H01L 21/88 G
, H01L 21/28 G
, H01L 21/302 K
Fターム (24件):
4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104DD52
, 4M104DD68
, 4M104DD75
, 4M104FF08
, 4M104FF16
, 4M104HH14
, 5F004AA09
, 5F004BB02
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DA27
, 5F004DB08
, 5F004DB26
, 5F033AA03
, 5F033AA05
, 5F033AA25
, 5F033AA57
, 5F033AA71
, 5F033BA15
, 5F033BA16
, 5F033BA38
, 5F033EA29
引用特許:
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