半導体基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279396
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121414
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】レーザ照射時にシリコン半導体基板内部に生ずる熱応力を緩和させ、シリコン半導体基板の塑性変形や破壊を抑制する。【構成】シリコン半導体基板1の製造工程において、レーザ照射を行う際、200〜900°Cの温度範囲に保温されているシリコン半導体基板上にレーザを照射する。【効果】レーザ照射により加熱される表面領域とシリコン半導体基板内部との温度差を小さくすることによって、熱応力が低減できる。レーザ照射によって生ずる反りやスリップ、転位の発生を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶による半導体基板の一主面にレーザを照射する工程を有する半導体基板の製造方法において、前記半導体基板を200〜900°Cの温度範囲に保温して該半導体基板の一主面にレーザを照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭57-136334
特開平2-148735
特開平1-152718

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