特許

J-GLOBAL ID：200903025728539885

半導体装置の製造方法。

発明者： 小林 純一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306967
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 エンハンスメント型電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造においても、その製造過程で、正確な閾値電圧の測定を行うことができるようにする。【解決手段】 半導体基体1に、チャネル形成領域2,22を形成する工程と、チャネル形成領域22に、凹部31を形成する工程と、凹部31内に電界効果トランジスタを形成する工程とを有し、この電界効果トランジスタの形成工程と同一工程をとって凹部外に、閾値電圧測定用素子を形成し、この閾値電圧測定用素子への印加電圧に対するインピーダンス変化を測定してこの閾値電圧測定用素子の閾値電圧を検出し、更に凹部の深さから実験的または理論的に求めた閾値電圧の変化量をもとに、閾値電圧測定用素子で測定された閾値電圧から相対的に、電界効果トランジスタの製造過程における閾値電圧を判知して電界効果トランジスタのゲート部への不純物導入の追加、あるいは停止を行って、目的とする閾値電圧Vthを有するエンハンスメント型電界効果トランジスタを得るものである。

請求項（抜粋）：

半導体基体に、チャネル形成領域を形成する工程と、該チャネル形成領域に、凹部を形成する工程と、該凹部内に電界効果トランジスタを形成する工程とを有し、上記凹部外に閾値電圧測定用素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 29/80 C

Fターム (25件)：

4M106AA07 ,  4M106AA08 ,  4M106AA10 ,  4M106AB04 ,  4M106AB11 ,  4M106AC02 ,  4M106CA11 ,  4M106CA12 ,  4M106CA32 ,  4M106CB01 ,  5F102FA09 ,  5F102GA01 ,  5F102GA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC05 ,  5F102HC07 ,  5F102HC10