特許
J-GLOBAL ID：200903025729349907
微結晶シリコン膜の形成方法、光起電力素子、および半導体薄膜の形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033455
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233443
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 光起電力素子に用いるi型微結晶シリコン層形成時の放電の安定性の向上、ひいては形成膜の品質制御性の向上を図る。【解決手段】 少なくともシリコン化合物を含む原料ガスを用いて、高周波プラズマCVD法により微結晶シリコン膜を形成する方法であって、高周波電極206に生じるセルフバイアス電圧を読み出し、その電圧値に基づいて投入する高周波電力を調整する。
請求項（抜粋）：
少なくともシリコン化合物を含む原料ガスを用いて、高周波プラズマCVD法により微結晶シリコン膜を形成する微結晶シリコン膜の形成方法において、高周波電極に生じるセルフバイアス電圧を読み出し、その電圧値に基づいて投入する高周波電力を調整することを特徴とする微結晶シリコン膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/205
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
