特許
J-GLOBAL ID：200903025730150332
薄膜太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116081
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】絶縁性基板の一面上に形成した太陽電池の直列接続を基板裏面の第三電極層によって行う薄膜太陽電池の製造プロセスを簡単にする。【構成】第三電極層に銅箔を用い、基板裏面に接着し、表面上の第一電極層あるいは第二電極層との接続は、基板を貫通する接続孔に塗布した導電性ペーストで行う。銅箔を耐候性フィルムに貼ったものを接着すれば裏面の保護ができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上の一面上に光電変換層である薄膜半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反基板側に透明な第二電極層を設けてなる単位太陽電池の複数個が、基板上の他面上に設けられた第三電極層が基板を貫通する接続孔を通る導体により一つの単位太陽電池の第一電極層と、また隣接する単位太陽電池の第二電極層と接続されることによって直列接続されるものにおいて、第三電極層が基板の他面上に接着された箔状体の少なくとも表面層を占め、接続孔を通る導体が導電性ペーストであることを特徴とする薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 31/04 M
