特許

J-GLOBAL ID：200903025735672426

半導体装置の製造方法

発明者： 国分 崇
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029252
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【構成】反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記エッチングガスのCHF3に添加ガスとして一般式がCXOY、あるいはCXHYOZ、あるいはCXHYで表わされるガスを用いることを特徴とする。【効果】添加ガスに一般式でCXOY、あるいはCXHYOZ、あるいはCXHYで表わされるガスを用いることで、側壁保護膜の-(C-H2)n-または、-(C-F2)n-のポリマーの形成を多くし、側壁がえぐれたホールの形成を防止することができる。また、Cを含むガスを添加することになるため、酸素の結合は安定なC-O結合を生成し、エッチングを抑制するSi-O結合をできにくくするため酸化膜のエッチングが促進される。

請求項（抜粋）：

反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化し、シリコン酸化膜のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記エッチングガスはCHF3が主ガスであり、一般式がCXOYで表わされるガスを添加ガスとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。