半導体レーザ装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060596
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275911
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 Feドープの高抵抗(率)埋込み層を有するIII-V族化合物半導体レーザ装置に関し、メサ側面を十分な高抵抗埋込み層で埋込んだ半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 (100)面III-V族化合物半導体基板上にメサストライプを形成する工程と、前記メサストライプ側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを含む。

請求項（抜粋）：

(100)面III-V族化合物半導体基板(11a)上にメサストライプ(10a)を形成する工程と、前記メサストライプ(10a)側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層(1、2、3、6)で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法。

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