特許

J-GLOBAL ID：200903025738669795

入力の電源電圧を越える要求動作に関するESD保護

発明者： チョン・ハイ・ホァン ,  マンサウアー・イザディニア
出願人/特許権者： ナショナル セミコンダクタ コーポレイション
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227393
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188417
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 静電放電から集積回路を保護する回路を提供する。【構成】 静電放電から集積回路機構を保護するために利用可能な回路が開示されている。第一のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタ(Q10)は、IC機構に接続されたエッミタと接地に接続されたコレクタを有する。第二のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタ(Q20)は、IC機構に接続されたエッミタと、ヘ ゙ース及び第一のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタのヘ ゙ースに接続されたコレクタとを有する。電界効果トランシ ゙スタ(M10)は、IC機構に接続されたケ ゙ート及びト ゙レインと、ソース及び第二のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタのコレクタとヘ ゙ース、並びに第一のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタのヘ ゙ースに接続された本体とを有する。タ ゙イオート ゙(D10)は、電界効果トランシ ゙スタの本体とソースに接続され、第二のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタのコレクタとヘ ゙ースに接続され、且つ第一のハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタのヘ ゙ースに接続されたカソート ゙を有する。

請求項（抜粋）：

電力スパイクによる損傷から集積回路機構を保護するために使用可能な回路であって、IC機構に接続されたエミッタと、接地に接続されたコレクタとを有する第一のバイポーラトランジスタと、IC機構に接続されたエミッタと、ベース及び第一のバイポーラトランジスタのベースに接続されたコレクタとを有する第二のバイポーラトランジスタと、IC機構に接続されたゲート及びドレインと、ソース及び第二のバイポーラトランジスタのコレクタとベースとに接続された本体とを有する電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタの本体及びソース、第二のバイポーラトランジスタのコレクタ及びベース、及び第一のバイポーラトランジスタのベースに接続されたカソードを有するダイオードと、からなる回路。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 23/60 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 23/56 B ,  H01L 27/06 311 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-124251
  
• 特開平1-130554
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345712   出願人：富士通株式会社