特許
J-GLOBAL ID：200903025738728040
半導体の熱処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-303391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144828
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコン基板を高温酸化した際に、基板面内にリング状に発生分布を持つ酸化誘起積層欠陥の発生を抑制する。【構成】 単結晶シリコン基板の熱処理に際し、該熱処理の前に該シリコン基板に対して窒素あるいは不活性ガス雰囲気中で1,200〜1,390°Cの温度で5分〜100時間の熱処理を施す。【効果】 本発明に係わる前熱処理を施したシリコン基板を1,100°C、1時間の酸化処理を行った場合には、前熱処理を施さなかった場合と比較して表面および内質の酸化誘起積層欠陥密度は1/10以下に低減する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により製造されたシリコン半導体結晶から加工されたシリコン基板の熱処理に際し、該熱処理の前に該シリコン基板に対して窒素あるいは不活性ガス雰囲気中で1,200〜1,390°Cの温度で5分〜100時間の熱処理を施すことを特徴とする半導体の熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324
, C30B 15/00
, C30B 29/06
, C30B 33/02
