Ib-IIIb-VIb2族化合物半導体薄膜の形成方法およびこの方法で形成された薄膜を有する太陽電池素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：森哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150938
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】有機金属化合物を原料として用いたCVD法によりIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体(CuInS2 )薄膜を形成する方法において、太陽電池の光吸収層として適切な抵抗率の薄膜が得られる方法を提供する。【解決手段】先ず、反応層1内に3成分の原料ガスを導入して、基板4の温度を440°Cに保持した状態で、CuInS2 薄膜を気相成長させる。3成分の原料ガスは、(H2 S/H2 )ガスと、Cu原料71の蒸気を含むArガスと、In原料81の蒸気を含むArガスである。次に、反応層1内に(H2 S/H2 )ガスのみを導入して、基板4の温度を550°Cに保持した状態で熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物を原料として用いた化学気相成長法で、Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体からなる薄膜を基板上に形成する方法において、反応器内に、Ib族元素の原料ガスとIIIb族元素の原料ガスとVIb族元素の原料ガスを導入して、気相成長反応を所定温度で所定時間行った後に、VIb族元素の原料ガスの雰囲気下で熱処理を行うことを特徴とするIb-IIIb-VIb2 族化合物半導体薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , C23C 16/18 , H01L 21/365

FI (3件)：

H01L 31/04 E , C23C 16/18 , H01L 21/365

Fターム (44件)：

4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030AA24 , 4K030BA01 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA24 , 4K030BA32 , 4K030BA53 , 4K030BA55 , 4K030BA56 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030FA04 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 4K030LA14 , 4K030LA16 , 5F045AA04 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC09 , 5F045AC16 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB07 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA66 , 5F045DP05 , 5F045DQ04 , 5F045EE03 , 5F045EE05 , 5F045EK03 , 5F045HA16 , 5F051AA10 , 5F051CB12 , 5F051CB24 , 5F051GA03

前のページに戻る