特許

J-GLOBAL ID：200903025766393169

表面波装置

発明者： 中島 幸司 ,  森下 英也
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049898
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252784
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】温度変化が加わっても、はんだバンプ接合部での接続不具合が生じがたい、信頼性に優れた表面波装置を提供する。【解決手段】はんだバンプ接合後の状態におけるはんだバンプの高さをt、はんだバンプの断面積をSとしたときに、t/Sが0.7[1/mm]以上となるようにはんだバンプ51が形成されている。

請求項（抜粋）：

表面波素子をはんだバンプ接合してベース部材上に載置してなる表面波装置において、はんだバンプ接合後のはんだバンプの水平方向の断面積をS、はんだバンプの高さをtとしたときに、t/Sが0.7[1/mm]以上であることを特徴とする表面波装置。

IPC (2件)：

H03H 9/145 ,  H03H 9/25

FI (2件)：

H03H 9/145 D ,  H03H 9/25 A

Fターム (9件)：

5J097AA24 ,  5J097AA25 ,  5J097AA34 ,  5J097DD01 ,  5J097HA04 ,  5J097HB07 ,  5J097JJ01 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK10